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F25L04UA-100PG

更新时间： 2024-01-24 09:22:01

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晶豪 - ESMT		闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
页数	文件大小	规格书
25页	271K
描述
3V Only 4 Mbit Serial Flash Memory

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F25L04UA-100PG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
长度：	4.9 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
电源：	3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.000025 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	3.9 mm	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

F25L04UA-100PG 数据手册

ESMT

Flash

F25L04UA

3V Only 4 Mbit Serial Flash Memory

FEATURES

Single supply voltage 2.7~3.6V

- Sector erase time 0.7s(typical)

Speed

Auto Address Increment (AAI) Programming

- Decrease total chip programming time over

Byte-Program operations

- Read max frequency : 33MHz

- Fast Read max frequency : 50MHz; 75MHz; 100MHz

Low power consumption

- Active current :40mA

- Standby current : 25μ A

SPI Serial Interface

- SPI Compatible : Mode 0 and Mode3

End of program or erase detection

Write Protect ( WP )

Reliability

- 100,000 program/erase cycles typically

- 10 years Data Retention

Hold Pin (HOLD )

Program

- Byte program time 8μ s(typical)

Package avalible

- 8-pin SOIC 150-mil

Erase

- Chip erase time 11s(typical)

ORDERING INFORMATION

Part No.

Speed

Package

COMMENTS

Pb-free

F25L04UA -50PG

F25L04UA -75PG

50MHz 8 lead SOIC

75MHz 8 lead SOIC

Pb-free

F25L04UA -100PG 100MHz 8 lead SOIC

Pb-free

GENERAL DESCRIPTION

The F25L04UA is a 4Megabit, 3V only CMOS Serial Flash

memory device. ESMT’s memory devices reliably store memory

data even after 100,000 program and erase cycles.

erased individually without affecting the data in other sectors.

Whole chip erase capabilities provide the flexibility to revise the

data in the device.

The F25L04UA features a sector erase architecture. The device

memory array is divided into one 8K bytes, two 4K bytes, one

16K bytes, one 32K bytes, and seven 64K bytes. Sectors can be

The sector protect/unprotect feature disables both program and

erase operations in any combination of the sectors of the

memory.

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date: Jan. 2009

Revision: 1.2

1/25

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