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F1M

更新时间： 2024-09-23 11:46:27
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JFW 快速恢复二极管
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2页 168K
描述
SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER

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R
F1A~F1M  
F
A
S
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Y
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I
F
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f
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c
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M
o
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n
t
S
E
M
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C
O
N
D
U
C
T O R  
R e ve rse V ol ta ge - 50 to 10 0 0 Vo l ts  
F
o
r
w
a
r
d
C
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r
r
e
n
t
-
1
.
0
A
m
p
e
r
e
FEATURES  
●
●
●
●
●
●
●
Low profile space  
Ideal for automated placement  
Glass passivated chip junctions  
Low forward voltage drop  
Low leakage current  
High forward surge capability  
High temperature soldering：  
260℃/10 seconds at terminals  
Component in accordance to  
RoHS 2002/95/1 and WEEE 2002/96/EC  
●
M
E
C
H
A
N
I
C
A
L
D
A
T
A
●
Case: JEDEC SOD-123FL molded plastic  
body over glass passivated chip  
●
●
Terminals: Solder plated, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
Polarity: Laser band denotes cathode end  
M
A
X
I
M
U
M
R
A
T
I
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G
S
A
N
D
E
L
E
C
T
R
I
C
A
L
C
H
A
R
A
C
T
E
R
I
S
T
I
C
S
(TA = 25 °C unless otherwise noted)  
Symbol F1A  
F
F1D  
F1G  
F1J  
F
1K  
F1M UNIT  
1B  
VRRM  
50  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
1
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
V
V
V
A
VRMS  
35  
700  
VDC  
50  
Maximum DC blocking voltage  
100  
1000  
IF(AV)  
IFSM  
VF  
Maximum average forward rectified current  
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
25  
A
V
Maximum instantaneous forwad voltage at 1.0A  
1.3  
Maximum DC reverse current  
TA = 25 ℃  
TA = 100℃  
5.0  
50  
IR  
μA  
at Rated DC blocking voltage  
Maximum reverse recovery time  
at IF = 0.5 A , IR = 1.0 A , Irr = 0.25 A  
trr  
CJ  
150  
500  
250  
nS  
p F  
℃
Typical junction capacitance at 4.0 V ,1MHz  
15  
Operating junction and storage  
temperature range  
TJ, TSTG  
–55 to +150  
J
I
N
A
N
J
I
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G
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.
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