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F1K

更新时间： 2024-03-03 10:07:35
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扬杰 - YANGJIE /
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描述
SOD-123FL

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RoHS  
F1A THRU F1M  
COMPLIANT  
Surface Mount Fast Recovery Rectifier  
Features  
● Low profile package  
● Ideal for automated placement  
● Glass passivated chip junction  
● Fast switching for fast recovery  
● High forward surge capability  
● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
Typical Applications  
For use in fast switching rectification of power supply,  
inverters, converters, and freewheeling diodes for  
consumer, and telecommunication.  
Mechanical Date  
●
ackage: SOD-123FL  
P
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating, RoHS-compliant, halogen-free  
● Terminals: Tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
●
Cathode line denotes the cathode end ꢀ  
Polarity:  
(T =25℃Unless otherwise specified  
■
Maximum Ratings  
）
a
PARAMETER  
SYMBOL UNIT  
F1A  
F1A  
50  
F1B  
F1B  
100  
70  
F1D  
F1D  
200  
140  
200  
F1G  
F1G  
400  
280  
400  
1.0  
F1J  
F1J  
600  
420  
600  
F1K  
F1K  
800  
560  
800  
F1M  
F1M  
1000  
700  
Device marking code  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
V
V
A
35  
Maximum DC blocking Voltage  
50  
100  
1000  
Average rectified output current  
I
O
@60Hz sine wave, Resistance load, TL (FIG.1)  
Forward Surge Current (Non-repetitive)  
@60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃  
Forward Surge Current (Non-repetitive)  
@1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃  
Current squared time  
30  
A
I
FSM  
60  
A2s  
℃
I2t  
3.735  
@1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃  
T
stg  
Storage temperature  
Junction temperature  
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
T
j
℃
（T =25℃ Unless otherwise specified）  
■Electrical Characteristics  
a
PARAMETER  
SYMBOL  
F1A  
F1B  
F1D  
F1G  
F1J  
F1K  
F1M  
UNIT  
TEST CONDITIONS  
Maximum instantaneous forward  
voltage  
V
I
FM  
=1.0A  
V
1.3  
F
IF=0.5A，IR=1.0A,  
Maximum reverse recovery time  
ns  
150  
250  
500  
trr  
Irr=0.25A  
5
T =25℃  
j
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage  
I
μA  
R
100  
T =125℃  
j
Measured at 1MHz and  
Applied Reverse  
Typical junction capacitance  
Cj  
pF  
11  
6
Voltage of 4.0 V.D.C  
1 / 5  
S-S020  
Rev. 2.5, 26-Nov-21  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  
12345

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