F1827SDK600

更新时间： 2024-12-01 06:58:35

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快达 - CRYDOM		栅极触发装置可控硅整流器电源电路局域网
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Power Modules

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F1827SDK600 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	3.63
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流：	150 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
快速连接描述：	2G-2GR	螺丝端子的描述：	A-K-AK
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	JESD-609代码：	e3/e4
通态非重复峰值电流：	400 A	元件数量：	2
端子数量：	7	最大通态电流：	25000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	重复峰值反向电压：	600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN/SILVER	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

F1827SDK600 数据手册

F18 Series

•

Industry Standard Package and Circuits

Power Control Building Blocks

• Nine Circuits to Chose from

AVAILABLE OPTIONS

ELECTRICAL SPECIFICATIONS

Description

Symbol

107 (2)

105 A

Maximum DC Output Current (Tc = 85°C)

Maximum Voltage Drop @ Amps Peak

Operating Junction Temperature Range

25 A

40 A

55 A

90 A

I_D

1.55V @ 75 A

-40 - 125°C

1.4V @ 120 A

-40 - 125°C

1.4V @ 165 A

-40 - 125°C

1.4V @ 270 A

-40 - 125°C

1.65V @ 300 A

-40 - 125°C

V_F

T_J

Critical Rate of Rise of On-State Current @ TJ=125°C [A/µs]

Critical Rate of Rise of Off-State Voltage [V/µs]

100

di/dt

dv/dt

1000

400 (120 VAC)

600 (240 VAC)

800 (280 VAC)

Repetitive Peak Reverse Voltage (AC Line Nominal) [Vpk]

V_RRM

1200 (480 VAC)

1400 (530 VAC)

1600 (600 VAC)

1500

Maximum Non-Repetitive Surge Current (1/2 Cycle, 60 Hz) [A]

Maximum I²T for Fusing (t=8.3ms) [A²sec]

400

670

150

3.0

0.5

5.0

0.4

1000

4150

150

3.0

1950

15800

150

2250

25000

150

I_TSM

I²T

9350

150

3.0

Minimum Required Gate Current to Trigger @ 25°C [mA]

Minimum Required Gate Voltage to Trigger @ 25°C [V]

Average Gate Power [W]

I_GT

3.0

V_GT

P_G(AV)

V_GM

R_JC

0.5

Maximum Peak Reverse Gate Voltage [V]

5.0

Maximum Thermal Resistance, Junction to Ceramic Base per

Chip [°C/W]

0.28

0.25

0.14

0.135

Isolation Voltage [Vrms]

2500

V_ISOL

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