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F1520

更新时间： 2024-11-09 22:31:19
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POLYFET 晶体晶体管栅
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2页 39K
描述
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

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F1520 数据手册

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polyfet rf devices  
F1520  
General Description  
PATENTED GOLD METALIZED  
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE  
RF POWER VDMOS TRANSISTOR  
Silicon VDMOS and LDMOS  
transistors designed specifically  
for broadband RF applications.  
Suitable for Military Radios,  
Cellular and Paging Amplifier Base  
Stations, Broadcast FM/AM, MRI,  
Laser Driver and others.  
20Watts Gemini  
Package Style AK  
TM  
"Polyfet" process features  
gold metal for greatly extended  
lifetime. Low output capacitance  
HIGH EFFICIENCY, LINEAR,  
HIGH GAIN, LOW NOISE  
and high F enhance broadband  
t
performance  
o
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C)  
Total  
Junction to  
Maximum  
Junction  
Temperature  
Storage  
DC Drain  
Current  
Drain to  
Gate  
Voltage  
Drain to  
Source  
Voltage  
Gate to  
Source  
Voltage  
Device  
Dissipation  
Case Thermal  
Resistance  
Temperature  
o
o
o
o
60 Watts  
3
3.2 A  
70 V  
70V  
C/W  
200 C  
-65 C to 150 C  
30V  
RF CHARACTERISTICS (  
20WATTS OUTPUT )  
SYMBOL  
Gps  
PARAMETER  
MIN  
12  
TYP  
MAX  
UNITS  
dB  
TEST CONDITIONS  
Common Source Power Gai  
Drain Efficiency  
Idq = 0.8 A, Vds = 28.0V, F = 500 MHz  
Idq = 0.8 A, Vds = 28.0V, F = 500 MHz  
55  
%
h
VSWR  
Load Mismatch Toleranc  
20:1  
Relative Idq = 0.8 A, Vds = 28.0V, F = 500 MHz  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (EACH SIDE)  
SYMBOL  
Bvdss  
Idss  
PARAMETER  
MIN  
65  
TYP  
MAX  
UNITS  
V
TEST CONDITIONS  
Ids = 0.02 A,  
Vds = 28.0 V, Vgs = 0V  
Drain Breakdown Voltag  
Zero Bias Drain Curren  
Vgs = 0V  
0.4  
1
mA  
uA  
Igss  
Gate Leakage Curren  
Vds = 0 V,  
Vgs = 30V  
Vgs = Vds  
Vgs  
Gate Bias for Drain Curren  
Forward Transconductanc  
Saturation Resistanc  
1
7
Ids =0.04 A,  
V
Mho  
Ohm  
Amp  
pF  
gM  
0.4  
2.1  
2.4  
18  
2
Vds = 10V, Vgs = 5V  
Rdson  
Idsat  
Ciss  
Vgs = 20V, Ids = 2A  
Saturation Curren  
Vgs = 20V, Vds = 10V  
Common Source Input Capacitanc  
Common Source Feedback Capacitanc  
Common Source Output Capacitanc  
Vds = 28.0 V, Vgs = 0V, F = 1 MHz  
Vds = 28.0 V, Vgs = 0V, F = 1 MHz  
Vds = 28.0 V, Vgs = 0V, F = 1 MHz  
Crss  
pF  
Coss  
12  
pF  
REVISION 8/1/97  
POLYFET RF DEVICES  
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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