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F1203

更新时间: 2024-01-17 06:48:19
品牌 Logo 应用领域
POLYFET /
页数 文件大小 规格书
1页 99K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

F1203 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82Is Samacsys:N
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):60 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NOBase Number Matches:1

F1203 数据手册

  

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