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F11S80C3 PDF预览

F11S80C3

更新时间： 2024-02-27 11:24:30
品牌 Logo 应用领域
新电元 - SHINDENGEN 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
2页 160K
描述
Power MOSFET

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F11S80C3 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：800 V
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.45 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：33 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

F11S80C3 数据手册

 浏览型号F11S80C3的Datasheet PDF文件第2页 
PowerMOSFET  
■外観図 OUTLINE  
Unit：mm  
Package：STO-220  
F11S80C3  
ロット記号（例）  
10.2  
800V11A  
Date code  
④
管理番号（例）  
Control No.  
特 長  
0000  
煙低オン抵抗  
品名略号  
Type No.  
11S80C3  
煙高速スイッチング  
煙面実装タイプ  
Feature  
4.7  
煙LowRON  
:
① G  
煙FastSwitching  
煙SMDPackage  
:
②
D
:
③
S
:
①② ③ ④ D  
外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺  
印仕様をご確認下さい。  
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourwebsite.Asforthe  
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".  
■定格表 RATINGS  
指定のない場合  
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（  
Tc＝25℃）  
項
目
記号  
条
件
規格値  
単位  
Item  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
保存温度  
Tstg  
Tch  
－55～150  
150  
800  
±30  
11  
StorageTemperature  
℃
チャネル温度  
ChannelTemperature  
ドレイン・ソース間電圧  
V
DSS  
Drain-SourceVoltage  
V
ゲート・ソース間電圧  
V
GSS  
Drain-SourceVoltage  
ドレイン電流（直流）  
I
D
ContinuousDrainCurrent(DC)  
ドレイン電流（ピーク）  
パルス幅10μs,duty=1/100  
Pulsewidth10µs,duty=1/100  
I
DP  
33  
ContinuousDrainCurrent(Peak)  
A
ソース電流（直流）  
I
S
11  
ContinuousSourceCurrent(DC)  
全損失  
P
T
50  
W
TotalPowerDissipation  
指定のない場合  
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（  
Tc＝25℃）  
規格値 Ratings  
項
目
記号  
Symbol  
条
件
単位  
Item  
Conditions  
Unit  
MIN TYP MAX  
ドレイン・ソース間降伏電圧  
V
I＝1mA,V ＝0V  
D GS  
800  
─
─
─
─
25  
V
（BR）DSS  
Drain-SourceBreakdownVoltage  
ドレイン遮断電流  
I
V ＝800V,V ＝0V  
DS GS  
DSS  
ZeroGateVoltageDrainCurrent  
μA  
ゲート漏れ電流  
I
V ＝±30V,V ＝0V  
GS DS  
─
─
±0.1  
─
GSS  
Gate-SourceLeakageCurrent  
順伝達コンダクタンス  
gfs I＝5.5A,V ＝10V  
D DS  
4.2  
─
8.3  
S
Ω
ForwardTransconductance  
ドレイン・ソース間オン抵抗  
R
（DS）ON  
I＝5.5A,V ＝10V  
D GS  
0.39 0.45  
StaticDrain-SourceOn-stateResistance  
ゲートしきい値電圧  
V
I＝0.5mA,V ＝10V  
D DS  
2.1  
─
3.0  
─
3.9  
1.5  
2.5 ℃/W  
nC  
TH  
GateThressholdVoltage  
V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧  
V
SD  
I＝5.5A,V ＝0V  
S GS  
Source-DrainDiodeForwadeVoltage  
熱抵抗  
接合部・ケース間  
Junctiontocase  
θjc  
─
─
ThermalResistance  
ゲート全電荷量  
Qg V ＝10V,I＝11A,V ＝400V  
GS D DD  
─
54  
1690  
22  
740  
21  
30  
225  
35  
─
─
─
─
─
─
─
─
TotalGateCharge  
入力容量  
Ciss  
Crss V ＝25V,V ＝0V,f＝1MHz  
─
InputCapacitance  
帰還容量  
─
pF  
DS  
GS  
ReverseTransferCapacitance  
出力容量  
Coss  
td（on）  
tr  
─
OutputCapacitance  
ターンオン遅延時間  
─
Turn-ondelaytime  
上昇時間  
─
I＝5.5A,V ＝150V,R ＝27.3Ω  
D DD L  
Risetime  
ns  
ターンオフ遅延時間  
V
GS（＋）  
＝10V,V  
＝0V  
GS（－）  
td（off）  
tf  
─
Turn-offdelaytime  
下降時間  
─
Falltime  
※ケース温度によりジャンクション温度を算出する場合の熱抵抗値は、1.2〔℃/W〕を御使用下さい。但し、上記印加電流、電圧は安全動作領域内での御使用を前提とします。  
TheJunctionTemperatureiscalculatedfromthecasetemperature,thermalresistancevalueuses1.2℃/W.UseintheSafeOperatingAreaforinputcurrentandvoltage.  
（MOSFET〈2010.06〉）  
www.shindengen.co.jp/product/semi/  
12

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