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F11F60CPM

更新时间： 2024-02-09 12:31:56
品牌 Logo 应用领域
新电元 - SHINDENGEN 晶体晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 152K
描述
Power MOSFET

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F11F60CPM 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：33 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

F11F60CPM 数据手册

 浏览型号F11F60CPM的Datasheet PDF文件第2页 
PowerMOSFET  
■外観図 OUTLINE  
Unit：mm  
Package：FTO-220AG  
F11F60CPM  
10  
4.5  
ロット記号（例）  
600V11A  
Date code  
管理番号（例）  
Control No.  
特 長  
煙低オン抵抗  
煙絶縁タイプ  
0000  
11F60CPM  
品名略号  
Feature  
Type No.  
煙LowRON  
煙IsolatedPackage  
:
① G  
:
②
D
:
① ② ③ ③ S  
外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺  
印仕様をご確認下さい。  
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourwebsite.Asforthe  
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".  
■定格表 RATINGS  
指定のない場合  
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（  
Tc＝25℃/Unlessotherwisespecified）  
項
目
記号  
条
件
規格値  
単位  
Item  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
保存温度  
Tstg  
Tch  
－55～150  
150  
600  
±30  
11  
StorageTemperature  
℃
チャネル温度  
ChannelTemperature  
ドレイン・ソース間電圧  
V
DSS  
Drain-SourceVoltage  
V
ゲート・ソース間電圧  
V
GSS  
Drain-SourceVoltage  
ドレイン電流（直流）  
I
D
ContinuousDrainCurrent(DC)  
ドレイン電流（ピーク）  
パルス幅10μs,duty=1/100  
I
DP  
33  
A
ContinuousDrainCurrent(Peak)  
Pulsemeasurement,10µs,duty=1/100  
ソース電流（直流）  
I
S
11  
ContinuousSourceCurrent(DC)  
全損失  
P
T
50  
W
TotalPowerDissipation  
絶縁耐圧  
一括端子・ケース間，AC1分間印加  
Vdis  
2
kV  
DielectricStrength  
Terminalstocase,AC1minute  
締め付けトルク  
（推奨値：0.3N・m）  
TOR  
0.5  
N・m  
MountingTorque  
(Recommendedtorque:0.3N・m)  
指定のない場合  
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（  
Tc＝25℃/Unlessotherwisespecified）  
規格値 Ratings  
項
目
記号  
Symbol  
条
件
単位  
Item  
Conditions  
Unit  
MIN TYP MAX  
ドレイン・ソース間降伏電圧  
V
I＝1mA,V ＝0V  
D GS  
600  
─
─
─
─
─
10  
V
（BR）DSS  
Drain-SourceBreakdownVoltage  
ドレイン遮断電流  
I
V ＝600V,V ＝0V  
DS GS  
DSS  
ZeroGateVoltageDrainCurrent  
μA  
ゲート漏れ電流  
I
V ＝±30V,V ＝0V  
GS DS  
─
±0.1  
─
GSS  
Gate-SourceLeakageCurrent  
順伝達コンダクタンス  
gfs I＝5.5A,V ＝10V  
D DS  
4.5  
─
9
S
Ω
ForwardTransconductance  
ドレイン・ソース間オン抵抗  
R
（DS）ON  
I＝5.5A,V ＝10V  
D GS  
0.27 0.3  
StaticDrain-SourceOn-stateResistance  
ゲートしきい値電圧  
V
I＝1mA,V ＝10V  
D DS  
2.5  
─
3.0  
─
3.5  
1.5  
2.5 ℃/W  
nC  
TH  
GateThressholdVoltage  
V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧  
V
SD  
I＝5.5A,V ＝0V  
S GS  
Source-DrainDiodeForwadeVoltage  
熱抵抗  
接合部・ケース間  
Junctiontocase  
θjc  
─
─
ThermalResistance  
ゲート全電荷量  
Qg V ＝10V,I＝11A,V ＝400V  
GS D DD  
─
22  
1100  
2.5  
60  
20  
25  
80  
25  
─
─
─
─
─
─
─
─
TotalGateCharge  
入力容量  
Ciss  
─
InputCapacitance  
帰還容量  
Crss V ＝100V,V ＝0V,f＝1MHz  
DS GS  
─
pF  
ReverseTransferCapacitance  
出力容量  
Coss  
td（on）  
tr  
─
OutputCapacitance  
ターンオン遅延時間  
─
Turn-ondelaytime  
上昇時間  
─
I＝5.5A,V ＝150V,R ＝27.3Ω  
D DD L  
Risetime  
ns  
ターンオフ遅延時間  
V
＝10V,V  
＝0V  
GS（＋）  
GS（－）  
td（off）  
tf  
─
Turn-offdelaytime  
下降時間  
─
Falltime  
（MOSFET〈2010.07〉）  
www.shindengen.co.jp/product/semi/  
12

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