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F10P40FR PDF预览

F10P40FR

更新时间： 2024-01-08 00:38:53
品牌 Logo 应用领域
THINKISEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 757K
描述
10.0 Amperes Insulated Dual Common Anode Ultra Fast Recovery Half Bridge Rectifiers

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F10P40FR 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
应用：FAST RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.25 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：400 V最大反向电流：30 µA
最大反向恢复时间：0.045 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

F10P40FR 数据手册

 浏览型号F10P40FR的Datasheet PDF文件第2页 
F10P20FR thru F10P60FR  
F10P20FR/F10P40FR/F10P60FR  
Pb Free Plating Product  
10.0 Amperes Insulated Dual Common Anode Ultra Fast Recovery Half Bridge Rectifiers  
ITO-220AB/TO-220F-3L  
Unit : inch (mm)  
Features  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Fast switching for high efficiency  
.189(4.8)  
.165(4.2)  
.406(10.3)  
.381(9.7)  
.134(3.4)  
.118(3.0)  
Low forward voltage drop  
High current capability  
Low reverse leakage current  
High surge current capability  
.130(3.3)  
.114(2.9)  
Application  
Automotive Inverters and Solar Inverters  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Plating Power Supply,SMPS and UPS  
.114(2.9)  
.098(2.5)  
.071(1.8)  
.055(1.4)  
Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems  
.055(1.4)  
.039(1.0)  
.035(0.9)  
.011(0.3)  
.032(.8)  
MAX  
Mechanical Data  
.1  
(2.55)  
.1  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Case: ITO-220AB full plastic isolated package  
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202  
method 208  
(2.55)  
Case  
Case  
Case  
Case  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Polarity: As marked on diode body  
Mounting position: Any  
Weight: 1.75 gram approximately  
Doubler  
Tandem Polarity Tandem Polarity  
Suffix "FD" Suffix "FS"  
Series  
Negative  
Common Cathode Common Anode  
Suffix "F" Suffix "FR"  
Positive  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
℃
Rating at 25 ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
UNIT  
SYMBOL  
F10P40FR  
F10P20FR  
F10P60FR  
V
V
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified  
10.0  
150  
1.3  
A
A
V
IF(AV)  
o
(Total Device 2*5A=10A)  
Current TC=100 C  
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single  
Half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
IFSM  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
1.7  
VF  
IR  
0.98  
(Both Diode/Per Diode/Per Leg)  
@ 5.0 A  
Maximum DC Reverse Current @TJ=25oC  
At Rated DC Blocking Voltage @TJ=125oC  
5.0  
μA  
μA  
100  
nS  
pF  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
Typical junction Capacitance (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
Trr  
CJ  
35  
65  
℃
/W  
R JC  
3.0  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
-55 to +150  
℃
TJ, TSTG  
NOTES : (1) Reverse recovery test conditions IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A.  
(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.  
(3) Thermal Resistance junction to case.  
Page 1/2  
http://www.thinkisemi.com.tw/  
Rev.08T  
© 1995 Thinki Semiconductor Co., Ltd.  
12

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