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F0527B

更新时间： 2024-02-26 21:41:01

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英飞凌 - INFINEON		光电
页数	文件大小	规格书
8页	68K
描述
Visible LED

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F0527B 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Base Number Matches：	1

F0527B 数据手册

InGaN-High Brightness Lumineszenzdiode (527 nm, High Power)

InGaN High Brightness Light Emitting Diode (527 nm, High Power)

F 0527B

Vorläufige Daten / Preliminary Data

Wesentliche Merkmale

Features

• Typ. Gesamtleistung: 2.4mW @ 20 mA (im

5mm Radial Gehäuse)

• Typ. radiant power: 2.4 mW @ 20 mA (in 5mm

Radial package)

• Optische Effizienz: 3 lm/W (5mm Gehäuse)

• Hohe Helligkeit durch spezielle OSRAM

ATON^®-Technologie

• Optical efficiency: 3 lm/W (5mm package)

• High Brightness due to special OSRAM

ATON^®-technology

• Leitfähiges Substrat

• Conductive substrate

• Gute Stromverteilung durch SiC-Substrat

• Chipgröße 260 x 260

• Good current spreading by SiC substrate

• Chipsize 260 x 260

• Wellenlänge 527 nm (grün)

• Technologie: InGaN

• Wavelength 527 nm (green)

• Technology: InGaN

• ESD-Klasse 2

• ESD class 2 rating

Anwendungen

Applications

• Informationsanzeigen im Außenbereich

• optischer Indikator

• Outdoor displays

• Optical indicators

• Hinterleuchtung (LCD, Schalter, Tasten,

Displays, Werbebeleuchtung,

Allgemeinbeleuchtung)

• Innenbeleuchtung im Automobilbereich

• Markierungsbeleuchtung

• Signal- und Symbolleuchten

• Scanner

• backlighting (LCD, switches, keys, displays,

illuminated advertising, general lighting)

• Interior automotive lighting

• Marker lights

• Signal and symbol luminaire

• Scanner

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

F 0527B

on request

Grün (527 nm) emittierender InGaN Chip mit spezieller

OSRAM ATON^®-Form zur effizienten Lichtauskopplung

Green (527 nm) light emitting InGaN diode with special

OSRAM ATON^®shape for enhanced light outcoupling

2002-02-21

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