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FZ3600R17KE3_B2

更新时间： 2024-01-10 13:46:23
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EUPEC 晶体晶体管双极性晶体管局域网
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8页 267K
描述
IGBT-modules

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FZ3600R17KE3_B2 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-9针数：9
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.55Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：4800 A
集电极-发射极最大电压：1700 V配置：PARALLEL, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X9
湿度敏感等级：1元件数量：3
端子数量：9最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：20000 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：2100 ns标称接通时间 (ton)：1050 ns
VCEsat-Max：2.45 VBase Number Matches：1

FZ3600R17KE3_B2 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R17KE3_B2  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Vorläufige Daten / preliminary data  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1700  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
3600  
4800  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
7200  
20,0  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 3600 A, V•Š = 15 V  
I† = 3600 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2,00 2,45  
2,40  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 145 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
5,2  
5,8  
42,0  
0,5  
6,4  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1700 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
325  
10,5  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
I†Š»  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 3600 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 0,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,74  
0,80  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 3600 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 0,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,20  
0,25  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 3600 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 0,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,45  
1,80  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 3600 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 0,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,18  
0,30  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 3600 A, V†Š = 900 V, L» = 40 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 0,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
545  
790  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 3600 A, V†Š = 900 V, L» = 40 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 0,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
975  
1450  
mJ  
mJ  
EÓËË  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 1000 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
14000  
8,70  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
6,30 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Martin Wölz  
approved by: Martin Schulz  
date of publication: 2006-6-13  
revision: 2.0  
1
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FZ3600R17KE3B2NOSA1 INFINEON Insulated Gate Bipolar Transistor,

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