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FMM5703X

更新时间： 2024-01-14 16:10:05

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EUDYNA		放大器射频微波
页数	文件大小	规格书
4页	886K
描述
24-32GHz LNA MMIC

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FMM5703X 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.14	其他特性：	HIGH RELIABILITY
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	15 dB	最大输入功率 (CW)：	-3 dBm
最大工作频率：	32000 MHz	最小工作频率：	24000 MHz
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-45 °C
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	Base Number Matches：	1

FMM5703X 数据手册

FMM5703X

24-32GHz LNA MMIC

FEATURES

• Low Noise Figure: NF = 2dB (Typ.) @ f=32 GHz

• High Associated Gain: G = 18dB (Typ.) @ f=32 GHz

• Wide Frequency Band: 24-32 GHz

• High Output Power: 9dBm (Typ.) @ f=32 GHz

• Impedance Matched Zin/Zout = 50Ω

DESCRIPTION

The FMM5703X is a LNA MMIC designed for

applications in the 24-32 GHz frequency range.

This product is well suited for satellite communications,

radio link, and applications where low noise and high

dynamic range are required.

ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)

Item

Symbol

Condition

Unit

Rating

Drain-Source Voltage

Input Power

-3

dBm

Storage Temperature

-65 to +175

stg

°C

Operating Backside Temperature

-45 to +125

Fujitsu recommends the following conditions for the long term reliable operation of GaAs FETs:

1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 3 volts.

2. This product should be hermetically packaged.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)

Limits

Typ.

Item

Symbol

Conditions (2)

Unit

Min.

Max.

Noise Figure

2.0

2.5

Associated Gain

= 3V

f = 32 GHz

= 20mA (Typ.)

Z = Z = 50Ω

Output Power at 1dB G.C.P.

Input Return Loss

P1dB

dBm

-10

Output Return Loss

out

Note 1: RF parameter sample size 10pcs. Criteria (accept/reject)=(0/1)

Note 2: Electrical Characteristics specified with RF-probe measurement.

Edition 1.0

December 2000

12 3 4

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