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FMM5702X

更新时间： 2024-02-25 21:19:50

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EUDYNA		放大器射频微波
页数	文件大小	规格书
4页	149K
描述
27-32GHz LNA MMIC

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FMM5702X 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	11 dB
最大输入功率 (CW)：	-4 dBm	最大工作频率：	32000 MHz
最小工作频率：	27000 MHz	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-45 °C	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
Base Number Matches：	1

FMM5702X 数据手册

FMM5702X

27-32GHz LNA MMIC

FEATURES

• Low Noise Figure: NF = 1.6dB (Typ.) @ f=30 GHz

• High Associated Gain: G = 13dB (Typ.) @ f=30 GHz

• Wide Frequency Band: 27-32 GHz

• Impedance Matched Zin/Zout = 50Ω

DESCRIPTION

The FMM5702X is a LNA MMIC designed for

applications in the 27-32 GHz frequency range.

This product is well suited for satellite communications

and radio link applications where low noise and high

gain is required.

ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)

Item

Symbol

Condition

Unit

Rating

Drain-Source Voltage

Input Power

-4

dBm

°C

Storage Temperature

Operating Backside Temperature

-65 to +175

-45 to +125

stg

°C

Fujitsu recommends the following conditions for the long term reliable operation of GaAs FETs:

1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 4 volts.

2. This product should be hermetically packaged.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)

Limits

Typ.

Item

Symbol

Conditions

Unit

Min.

Max.

Noise Figure

1.6

2.0

= 4V

Associated Gain

Input Return Loss

Output Return Loss

11.0 13.0

f = 30.0 GHz

= 5mA (Typ.)

Z = Z = 50Ω

-12

-9

out

Note: RF parameter sample size 10pcs. Criteria (accept/reject)=(0/1)

Edition 1.0

February 2000

12 3 4

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