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FLM7785-8F

更新时间： 2024-01-30 17:54:07
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页数 文件大小 规格书
4页 254K
描述
C-Band Internally Matched FET

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FLM7785-8F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact Manufacturer包装说明：HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IB, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.26
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：15 V
最大漏极电流 (ID)：2.6 AFET 技术：JUNCTION
最高频带：C BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

FLM7785-8F 数据手册

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FLM7785-8F  
C-Band Internally Matched FET  
FEATURES  
• High Output Power: P  
= 39.5dBm (Typ.)  
1dB  
• High Gain: G  
= 8.5dB (Typ.)  
1dB  
= 34% (Typ.)  
• High PAE: η  
add  
• Low IM = -46dBc@Po = 28.5dBm  
3
• Broad Band: 7.7 ~ 8.5GHz  
• Impedance Matched Zin/Zout = 50Ω  
• Hermetically Sealed  
DESCRIPTION  
The FLM7785-8F is a power GaAs FET that is internally matched for  
standard communication bands to provide optimum power and gain in a  
50 ohm system.  
Eudyna’s stringent Quality Assurance Program assures the highest  
reliability and consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Rating  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
15  
-5  
V
V
DS  
GS  
T = 25°C  
c
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
P
42.8  
-65 to +175  
175  
W
°C  
°C  
T
T
stg  
T
ch  
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 10 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 32.0 and -4.4 mA respectively with  
gate resistance of 100Ω.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Limit  
Typ.  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
V
V
V
I
= 5V, V  
= 0V  
GS  
Saturated Drain Current  
Transconductance  
I
-
3400 5200  
mA  
DS  
DS  
DS  
DSS  
g
-
= 5V, I  
= 2200mA  
= 170mA  
-
3400  
m
mS  
V
DS  
Pinch-off Voltage  
V
= 5V, I  
DS  
-0.5  
-5.0  
-1.5 -3.0  
p
Gate Source Breakdown Voltage  
Output Power at 1dB G.C.P.  
Power Gain at 1dB G.C.P.  
Drain Current  
V
-
-
V
= -170µA  
GSO  
GS  
P
1dB  
39.0 39.5  
-
-
dBm  
dB  
V
=10V,  
G
7.5  
8.5  
DS  
1dB  
I
= 0.65 I  
DS  
DSS (Typ.),  
I
-
-
-
2200 2600  
mA  
%
dsr  
f = 7.7 ~ 8.5 GHz,  
η
Power-added Efficiency  
add  
34  
-
-
Z =Z = 50 ohm  
S
L
Gain Flatness  
∆G  
0.6  
dB  
f = 8.5 GHz, ∆f = 10 MHz  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
2-Tone Test  
IM  
3
-44  
-46  
-
dBc  
P
= 28.5dBm S.C.L.  
out  
R
Thermal Resistance  
Channel to Case  
-
-
3.0  
-
3.5  
80  
°C/W  
°C  
th  
∆T  
Channel Temperature Rise  
10V x I  
x R  
th  
ch  
dsr  
CASE STYLE: IB  
G.C.P.: Gain Compression Point, S.C.L.: Single Carrier Level  
Edition 1.4  
August 2004  
1
1234

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