Datasheet > FLM7785-45F

FLM7785-45F

更新时间： 2024-01-16 20:51:57

品牌	Logo	应用领域
EUDYNA		晶体晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
5页	183K
描述
C-Band Internally Matched FET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FLM7785-45F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	10 V
最大漏极电流 (ID)：	13 A	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

FLM7785-45F 数据手册

FLM7785-45F

C-Band Internally Matched FET

FEATURES

・High Output Power: P1dB=46.5dBm(Typ.)

・High Gain: G1dB=7.0dB(Typ.)

・High PAE: ηadd=32.5%(Typ.)

・Broad Band: 7.7~8.5GHz

・Impedance Matched Zin/Zout = 50Ω

・Hermetically Sealed Package

DESCRIPTION

The FLM7785-45F is a power GaAs FET that is internally matched

for standard communication bands to provide optimum power and

gain in a 50Ω system.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Case Temperature Tc=25 C)

Item

Symbol

Rating

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

Gate-Source Voltage

Total Power Dissipation

Storage Temperature

Channel Temperature

VGS

P_T

-5

115

-65 to +175

175

^OC

Tstg

Tch

RECOMMENDED OPERATING COMDITION (Case Temperature Tc=25 C)

Item

Symbol

VDS

Unit

Condition

Limit

≤10

DC Input Voltage

Forward Gate Current

Reverse Gate Current

RG=10Ω

IGF

≤52

IGR

≥-23.2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Case Temperature Tc=25 C)

Limit

Typ.

-1.5

Test Conditions

Item

Symbol

Unit

Max.

-3.0

Min.

VDS=5V, VGS=0V

IDSS

Drain Current

Transconductance

Pinch-off Voltage

Gate-Source Breakdown Voltage

VDS=5V, IDS=8.0A

VDS=5V, IDS=960mA

IGS=-960uA

-0.5

-5.0

46.0

VGSO

P1dB

Output Power at 1dB G.C.P.

46.5

7.0

dBm

VDS=10V

G1dB

Idsr

Power Gain at 1dB G.C.P.

Drain Current

6.0

f=7.7 - 8.5 GHz

IDS(DC)=8.0A(typ.)

Zs=ZL=50Ω

11ꢀ

Power-added Efficiency

Gain Flatness

ηadd

∆G

32.5

1.1

1.6

1.3

100

Thermal Resistance

Channel Temperature Rise

CASE STYLE: IK

^OC/W

Channel to Case

Rth

∆Tch

^OC

10V x Ids(DC) x Rth

G.C.P.:Gain Compression Point

ESD

Class III

2000Vꢀ~

Note : Based on EIAJ ED-4701 C-111A(C=100pF, R=1.5kΩ)

Edition 1.3

September 2004

12 3 4 5

下载PDF

与FLM7785-45F相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FLM7785-4F	EUDYNA	C-Band Internally Matched FET	获取价格
FLM7785-6F	EUDYNA	C-Band Internally Matched FET	获取价格
FLM7785-8F	EUDYNA	C-Band Internally Matched FET	获取价格
FLM8	LITTELFUSE	Axial Lead and Cartridge Fuses - Midget	获取价格
FLM8/10	LITTELFUSE	Electric Fuse, Slow Blow, 0.8A, 250VAC, 10000A (IR), Inline/holder,	获取价格
FLM-80	ETC	FUSE AUTO 80A AUTO LINK	获取价格