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FLM1415-6F

更新时间： 2024-01-06 20:58:03
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页数 文件大小 规格书
4页 298K
描述
Internally Matched Power GaAs FET

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FLM1415-6F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact Manufacturer包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.27
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (ID)：2.1 A
FET 技术：JUNCTION最高频带：KU BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FLM1415-6F 数据手册

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FLM1415-6F  
Internally Matched Power GaAs FET  
FEATURES  
• High Output Power: P  
= 37.0dBm (Typ.)  
1dB  
• High Gain: G  
= 5.5dB (Typ.)  
1dB  
= 20% (Typ.)  
• High PAE: η  
add  
• Low IM = -45dBc@Po = 26.0dBm (Typ.)  
3
• Broad Band: 14.5 ~ 15.3GHz  
• Impedance Matched Zin/Zout = 50Ω  
• Hermetically Sealed  
DESCRIPTION  
The FLM1415-6F is a power GaAs FET that is internally matched for  
standard communication bands to provide optimum power and gain in a  
50 ohm system.  
Eudyna’s stringent Quality Assurance Program assures the highest  
reliability and consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Rating  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
15  
-5  
V
V
DS  
GS  
T = 25°C  
c
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
P
31.2  
-65 to +175  
175  
W
°C  
°C  
T
T
stg  
T
ch  
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 10 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 26.0 and -2.8 mA respectively with  
gate resistance of 100Ω.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Limit  
Typ.  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
V
V
V
I
= 5V, V  
= 0V  
GS  
Saturated Drain Current  
Transconductance  
I
-
2800 4200  
mA  
mS  
V
DS  
DS  
DS  
DSS  
g
= 5V, I  
= 1800mA  
= 120mA  
-
2350  
-1.5  
-
-
m
DS  
Pinch-off Voltage  
V
= 5V, I  
DS  
-0.5  
-5.0  
-3.0  
p
Gate Source Breakdown Voltage  
Output Power at 1dB G.C.P.  
Power Gain at 1dB G.C.P.  
Drain Current  
V
GSO  
-
V
= -120µA  
GS  
P
36.0 37.0  
-
-
dBm  
dB  
mA  
%
1dB  
V
= 10V,  
G
4.5  
5.5  
1800  
20  
DS  
1dB  
dsr  
I
= 0.6 I  
(Typ.),  
DS  
DSS  
-
-
-
I
2100  
-
f = 14.5 ~ 15.3 GHz,  
Z = Z = 50Ω  
S
η
Power-Added Efficiency  
Gain Flatness  
L
add  
∆
-
0.6  
dB  
G
f = 15.3GHz, ∆f = 10MHz  
2-Tone Test  
Pout = 26.0dBm S.C.L.  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
IM  
R
-42  
-45  
-
dBc  
3
Thermal Resistance  
-
-
°C/W  
°C  
Channel to Case  
th  
4.0  
-
4.5  
80  
∆T  
Channel Temperature Rise  
CASE STYLE: IA  
10V x I  
x R  
th  
ch  
dsr  
G.C.P.: Gain Compression Point, S.C.L.: Single Carrier Level  
Edition 1.5  
August 2004  
1
1234

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