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FLM1414-15F

更新时间： 2024-01-30 03:13:26

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EUDYNA		晶体晶体管局域网
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5页	221K
描述
X,Ku-Band Internally Matched FET

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FLM1414-15F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	10 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	KU BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

FLM1414-15F 数据手册

FLM1414-15F

X,Ku-Band Internally Matched FET

FEATURES

・High Output Power: P1dB=42.0dBm(Typ.)

・High Gain: G1dB=6.0dB(Typ.)

・High PAE: ηadd=26%(Typ.)

・Broad Band: 14.0～14.5GHz

・Impedance Matched Zin/Zout = 50Ω

・Hermetically Sealed Package

DESCRIPTION

The FLM1414-15F is a power GaAs FET that is internally matched

for standard communication bands to provide optimum power and

gain in a 50Ω system.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Case Temperature Tc=25^oC)

Item

Symbol

Rating

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

Gate-Source Voltage

Total Power Dissipation

Storage Temperature

Channel Temperature

VGS

-5

Tstg

-65 to +175

175

Tch

RECOMMENDED OPERATING CONDITION(Case Temperature Tc=25^oC)

Item

Symbol

VDS

Unit

Condition

Limit

≦10

DC Input Voltage

Forward Gate Current

Reverse Gate Current

RG=50Ω

IGF

≦48

≧-6.6

IGR

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Case Temperature Tc=25^oC)

Limit

Typ.

7.2

6700

-1.5

Test Conditions

Item

Symbol

Unit

Max.

10.0

Min.

VDS=5V , VGS=0V

IDSS

Drain Current

Transconductance

Pinch-off Voltage

Gate-Source Breakdown Voltage

VDS=5V , IDS=3600mA

VDS=5V , IDS=300mA

IGS=-340µA

-0.5

-5.0

41.5

-3.0

VGSO

P1dB

Output Power at 1dB G.C.P.

42.0

6.0

dBm

VDS=10V

G1dB

Idsr

Power Gain at 1dB G.C.P.

Drain Current

5.0

f=14.0 - 14.5 GHz

IDS=0.6IDSS(typ)

Zs=ZL=50Ω

4200

5000

Power-added Efficiency

Gain Flatness

1.2

ηadd

∆ G

IM3

f=14.5 GHz

3rd Order Intermodulation

Distortion

-42.0

-45.0

dBc

Δf=10MHz,2-Tone Test

Pout=30.0dBm(S.C.L.)

1.8

2.0

Thermal Resistance

Channel Temperature Rise

CASE STYLE: IB

C /W

Channel to Case

Rth

∆ Tch

10V x Idsr X Rth

G.C.P.:Gain Compression Point , S.C.L.:Single Carrier Level

ESD

2000V~

Class III

Note : Based on EIAJ ED-4701 C-111A(C=100pF, R=1.5kΩ)

Edition 1.4

May 2004

12 3 4 5

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