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FLM1011-20F

更新时间： 2024-01-10 22:23:16
品牌 Logo 应用领域
EUDYNA /
页数 文件大小 规格书
5页 280K
描述
X,Ku-Band Internally Matched FET

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FLM1011-20F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.1
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：10 V最大漏极电流 (ID)：7.2 A
FET 技术：JUNCTION最高频带：KU BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FLM1011-20F 数据手册

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FLM1011-20F  
X,Ku-Band Internally Matched FET  
FEATURES  
・High Output Power: P1dB=43.0dBm(Typ.)  
・High Gain: G1dB=7.0dB(Typ.)  
・High PAE: ηadd=27%(Typ.)  
・Broad Band: 10.7～11.7GHz  
・Impedance Matched Zin/Zout = 50Ω  
・Hermetically Sealed Package  
DESCRIPTION  
The FLM1011-20F is a power GaAs FET that is internally matched  
for standard communication bands to provide optimum power and  
gain in a 50Ω system.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Case Temperature Tc=25°C)  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-Source Voltage  
VDS  
15  
V
V
Gate-Source Voltage  
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
VGS  
PT  
-5  
93.7  
W
o
Tstg  
-65 to +175  
175  
C
o
Tch  
C
RECOMMENDED OPERATING CONDITION(Case Temperature Tc=25°C)  
Item  
Symbol  
VDS  
Unit  
Condition  
Limit  
≤10  
DC Input Voltage  
Forward Gate Current  
Reverse Gate Current  
V
mA  
mA  
RG=25Ω  
RG=25Ω  
IGF  
≤64  
≥-11.2  
IGR  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Case Temperature Tc=25°C)  
Limit  
Typ.  
10.8  
Test Conditions  
Item  
Symbol  
Unit  
Max.  
Min.  
-
16.2  
VDS=5V, VGS=0V  
A
S
V
V
Drain Current  
Transconductance  
IDSS  
gm  
VDS=5V, IDS=6480mA  
VDS=5V, IDS=600mA  
IGS=-600µA  
-
10  
-1.5  
-
-
-3.0  
-
Vp  
-0.5  
Pinch-off Voltage  
Gate-Source Breakdown Voltage  
VGSO  
-5.0  
Output Power at 1dB G.C.P.  
Power Gain at 1dB G.C.P.  
Drain Current  
P1dB  
G1dB  
Idsr  
42  
6.0  
-
43  
7.0  
6.0  
-
dBm  
dB  
A
VDS=10V  
-
f=10.7 - 11.7 GHz  
IDS=0.60IDSS(typ)  
Zs=ZL=50Ω  
7.2  
ηadd  
Power-added Efficiency  
Gain Flatness  
-
-
27  
-
-
%
dB  
∆G  
1.2  
f= 11.7 GHz  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
IM3  
Δf=10MHz, 2-tone Test  
Pout=31.0dBm (S.C.L.)  
-42.0  
-45.0  
-
dBc  
o
-
-
1.4  
-
1.6  
Thermal Resistance  
Channel Temperature Rise  
CASE STYLE: IK  
C /W  
o
Channel to Case  
Rth  
∆Tch  
100  
C
10V x Idsr X Rth  
G.C.P.:Gain Compression Point, S.C.L.:Single Carrier Level  
ESD  
2000Vꢀ~  
Class III  
Note : Based on EIAJ ED-4701 C-111A(C=100pF, R=1.5kW)  
Edition 1.2  
September 2004  
1
12345

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