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FLL810IQ-3C

更新时间： 2024-02-09 16:01:26
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页数 文件大小 规格书
4页 135K
描述
L-Band High Power GaAs FET

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FLL810IQ-3C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (ID)：15 A
FET 技术：JUNCTION最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FLL810IQ-3C 数据手册

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FLL810IQ-3C  
L-Band High Power GaAs FET  
FEATURES  
• Push-Pull Configuration  
• High Power Output: 80W  
• High PAE: 50%.  
• Excellent Linearity  
• Suitable for class AB operation.  
• Hermetically Sealed Package  
DESCRIPTION  
The FLL810IQ-3C is an 80 Watt GaAs FET that employs a push-pull design.  
This device offers excellent linearity, ease of matching, and greater consistency  
in covering the frequency band of 2.5 to 2.7 GHz. This new product is uniquely  
suited for use in MMDS applications as it offers high gain, long term reliability  
and ease of use.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Condition  
Rating  
Unit  
15  
-5  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
V
V
V
V
DS  
GS  
Tc = 25°C  
136  
P
W
°C  
°C  
T
T
-65 to +175  
+175  
stg  
T
ch  
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 12 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 176 and -51.8 mA respectively with  
gate resistance of 5Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 145°C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Case Temperature Tc=25°C)  
Limits  
Typ.  
Item  
Symbol  
Conditions  
= 5V, V = 0V  
Unit  
Min.  
Max.  
Drain Current  
I
V
V
I
-
8
-
A
V
V
DSS  
DS  
GS  
Pinch-Off Voltage  
V
p
= 5V, I = 220mA -0.1 -0.3 -0.5  
DS  
DS  
V
= -2.2mA  
Gate-Source Breakdown Voltage  
-5  
-
-
-
-
-
GSO  
GS  
P
out  
Output Power  
48.0 49.0  
dBm  
dB  
V
= 12V  
f = 2.6 GHz  
= 5.0A  
DS  
Linear Gain (Note 1)  
Power-Added Efficiency  
Drain Current  
11.0  
GL  
12.0  
50  
I
DS  
η
-
-
-
%
add  
Pin = 40.0dBm  
I
11.5 15.0  
0.8 1.1  
A
DSR  
Thermal Resistance  
CASE STYLE: IQ  
Channel to Case  
°C/W  
R
th  
Note 1: The condition for GL is the same as Pout except Pin = 25.0dBm.  
Edition 1.1  
October 2001  
1
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FLL810IQ-4C EUDYNA L-Band High Power GaAs FET

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