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FLL21E180IU

更新时间： 2024-02-26 01:58:27
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EUDYNA 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 155K
描述
High Voltage - High Power GaAs FET

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FLL21E180IU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.27
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：28 V
FET 技术：JUNCTION最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FLL21E180IU 数据手册

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FLL21E180IU  
High Voltage - High Power GaAs FET  
FEATURES  
・High Voltage Operation : VDS=28V  
・High Gain: 15.0dB(typ.) at Pout=46dBm(Avg.)  
・Broad Frequency Range : 2100 to 2200MHz  
・Proven Reliability  
DESCRIPTION  
The FLL21E180IU is a high power GaAs FET that offers  
high efficiency, ease of matching, greater consistency and  
broad bandwidth for high power L-band amplifiers.  
This device is target for high voltage, low current operation in  
digitally modulated base station. This product is ideally suited  
for W-CDMA base station amplifiers while offering high gain long  
term reliability and ease for use.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Item  
Symbol  
VDS  
VGS  
Pt  
Condition  
Rating  
32  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
Tc=25 oC  
-3  
V
230  
W
Tstg  
Tch  
-65 to +175  
200  
oC  
oC  
RECOMMENDED OPERATING CONDITION(Case Temperature Tc=25 oC)  
Item  
Symbol  
VDS  
Condition  
Limit  
<28  
Unit  
V
DC Input Voltage  
Forward Gate Current  
Reverse Gate Current  
Channel Temperature  
IGF  
RG=1 W  
RG=1 W  
<705  
>-64  
155  
mA  
mA  
oC  
IGR  
Tch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Case Temperature Tc=25 oC)  
Item  
Symbol Condition  
Limit  
min. Typ. Max.  
Unit  
Pinch-Off Voltage  
Vp  
VDS=5V IDS=150mA  
-0.1  
-0.2  
-0.5  
V
Gate-Source Breakdown Voltage  
3rd Order Inter modulation Distortion  
Power Gain  
VGSO  
IM3  
Gp  
IGS=-1.5mA  
VDS=28V  
-5  
V
-
-34  
15.0  
26.0  
-35  
-30  
dBc  
dB  
%
IDS(DC)=1.7A  
Pout=46dBm(Avg.)  
note  
14.0  
-
-
-
Drain Efficiency  
hd  
-
-
Adjacent Channel Leakage Power Ratio ACLR  
Thermal Resistance Rth  
dBc  
0.65 oC /W  
Channel to Case  
-
0.55  
Note 1 : IM3 ACLR and Gain test condition as follows:  
IM3 & Gain : fo=2.1325GHz, f1=2.1475GHz W-CDMA(3GPP3.4 12-00) BS-164ch  
non clipping modulation measured over 3.84MHz at fo-15MHz and fI+15MHz.  
ACLR : fo=2.1325GHz W-CDMA(3GPP3.4 12-00) BS-1 64ch non clipping modulation,  
measured over 3.84MHz at fo+/-5MHz.  
Edition 1.2  
Mar 2004  
1
123456

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