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FLL200IB-2

更新时间： 2024-02-06 22:23:08
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EUDYNA 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 125K
描述
L-Band Medium & High Power GaAs FET

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FLL200IB-2 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Contact Manufacturer包装说明：HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IB, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (ID)：6 A
FET 技术：JUNCTION最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FLL200IB-2 数据手册

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FLL200IB-1, FLL200IB-2, FLL200IB-3  
L-Band Medium & High Power GaAs FET  
FEATURES  
• High Output Power: P  
= 42.5dBm (Typ.)  
1dB  
= 13.0dB (Typ.)@1.8GHz (FLL200IB-1)  
• High Gain: G  
1dB  
= 34% (Typ.)  
• High PAE: η  
add  
• Proven Reliability  
• Hermetically Sealed Package  
DESCRIPTION  
The FLL200IB-1, FLL200IB-2, FLL200IB-3 are Power GaAs FETs that  
are specifically designed to provide high power at L-Band frequencies  
with gain, linearity and efficiency superior to that of silicon devices.  
The performance in multitone environments for Class AB operation make  
them ideally suited for base station applications.  
Fujitsu’s stringent Quality Assurance Program assures the highest  
reliability and consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Rating  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
15  
-5  
V
V
DS  
GS  
T = 25°C  
c
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
P
83.3  
-65 to +175  
175  
W
°C  
°C  
T
T
stg  
T
ch  
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 10 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 53.6 and -11.6 mA respectively with  
gate resistance of 25Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 145°C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Limit  
Typ.  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
V
V
V
= 5V, V  
= 0V  
GS  
Saturated Drain Current  
Transconductance  
I
-
8
12  
-
A
DS  
DS  
DS  
DSS  
g
= 5V, I  
= 4800mA  
m
-
4000  
-2.0 -3.5  
mS  
V
DS  
Pinch-off Voltage  
V
= 5V, I  
DS  
= 480mA  
-1.0  
p
Gate Source Breakdown Voltage  
FLL200IB-1  
V
-
-
-
I
= -480µA  
-5  
V
GSO  
GS  
f=1.5GHz  
f=2.3GHz  
f=2.6GHz  
f=1.5GHz  
Output Power  
FLL200IB-2  
P
1dB  
41.5 42.5  
dBm  
at 1dB G.C.P.  
FLL200IB-3  
V
I
= 10V  
DS  
= 0.6 I  
-
-
FLL200IB-1  
12.0 13.0  
10.0 11.0  
10.0 11.0  
dB  
dB  
dB  
A
DS  
DSS  
Power Gain  
FLL200IB-2  
at 1dB G.C.P.  
(Typ.)  
f=2.3GHz  
f=2.6GHz  
G
1dB  
FLL200IB-3  
-
I
Drain Current  
-
-
-
-
4.8  
34  
1.6  
-
6.0  
dsr  
V
I
= 10V  
DS  
= 0.6 I  
η
DS  
DSS (Typ.)  
-
%
°C/W  
°C  
Power added Efficiency  
Thermal Resistance  
add  
1.8  
80  
R
Channel to Case  
10V x I r x R  
th  
∆T  
Channel Temperature Rise  
CASE STYLE: IB  
ch  
ds  
th  
G.C.P.: Gain Compression Point  
Edition 1.1  
July 1999  
1
123456

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