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FLK207XV

更新时间： 2024-02-18 17:43:06
品牌 Logo 应用领域
EUDYNA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 70K
描述
GaAs FET & HEMT Chips

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FLK207XV 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DIE
包装说明：UNCASED CHIP, R-XUUC-NReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.4
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 VFET 技术：JUNCTION
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-XUUC-N
元件数量：1工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE

FLK207XV 数据手册

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FLK207XV  
GaAs FET & HEMT Chips  
FEATURES  
• High Output Power: P  
= 32.5dBm(Typ.)  
1dB  
• High Gain: G  
• High PAE: η  
= 6.0dB(Typ.)  
= 27%(Typ.)  
1dB  
add  
Drain  
Drain  
Drain  
Drain  
• Proven Reliability  
DESCRIPTION  
Gate  
Gate  
Gate  
The FLK207XV chip is a power GaAs FET that is  
designed for general purpose applications in the  
Ku-Band frequency range as it provides superior  
power, gain, and efficiency.  
Fujitsu’s stringent Quality Assurance Program assures the  
highest reliability and consistent performance  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Rating  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DS  
V
GS  
15  
-5  
V
V
P
T
T = 25°C  
c
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
12.5  
W
°C  
°C  
tot  
-65 to +175  
stg  
T
Channel Temperature  
175  
ch  
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 10 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 17.8 and -1.0 mA respectively with  
gate resistance of 250Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 145°C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Limit  
Typ.  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
V
V
V
I
= 5V, V  
= 0V  
GS  
Saturated Drain Current  
Transconductance  
I
-
800 1200  
mA  
DS  
DS  
DS  
DSS  
g
-
= 5V, I  
= 500mA  
= 40mA  
m
-
400  
mS  
V
DS  
Pinch-off Voltage  
V
= 5V, I  
DS  
-1.0 -2.0  
-3.5  
-
p
Gate Source Breakdown Voltage  
V
-
= -40µA  
-5  
V
GSO  
GS  
Output Power at 1dB  
Gain Compression Point  
P
31.5 32.5  
1dB  
-
-
dBm  
V
= 10V  
DS  
Power Gain at 1dB  
Gain Compression Point  
I
≈ 0.6I  
DS  
DSS  
5
6
dB  
G
1dB  
f = 14.5GHz  
η
-
Power-added Efficiency  
Thermal Resistance  
-
-
27  
10  
%
add  
R
Channel to Case  
12  
°C/W  
th  
Note: RF parameter sample size 10pcs. criteria (accept/reject)=(2/3)  
The chip must be enclosed in a hermetically sealed environment for optimum performance and reliability.  
Edition 1.3  
July 1999  
1
1234

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