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FLK207MH-14

更新时间： 2024-02-17 01:12:18
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EUDYNA 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 93K
描述
X, Ku Band Power GaAs FET

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FLK207MH-14 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact Manufacturer包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.27
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 VFET 技术：JUNCTION
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FLK207MH-14 数据手册

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FLK207MH-14  
X, Ku Band Power GaAs FET  
FEATURES  
• High Output Power: P  
= 32.5dBm(Typ.)  
1dB  
• High Gain: G  
= 6.0dB(Typ.)  
= 27%(Typ.)  
1dB  
• High PAE: η  
add  
• Proven Reliability  
• Hermetic Metal/Ceramic Package  
DESCRIPTION  
The FLK207MH-14 is a power GaAs FET that is designed for general  
purpose applications in the Ku-Band frequency range as it provides  
superior power, gain, and efficiency.  
Fujitsu’s stringent Quality Assurance Program assures the highest  
reliability and consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Rating  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
15  
-5  
V
V
DS  
GS  
T = 25°C  
c
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
P
12.5  
-65 to +175  
175  
W
°C  
°C  
T
T
stg  
T
ch  
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 10 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 17.8 and -1.0 mA respectively with  
gate resistance of 250Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 145°C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Limit  
Typ.  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
V
V
V
I
= 5V, V  
= 0V  
GS  
Saturated Drain Current  
Transconductance  
I
-
-
800 1200  
mA  
DS  
DS  
DS  
DSS  
g
-
= 5V, I  
= 500mA  
= 40mA  
400  
m
mS  
V
DS  
Pinch-off Voltage  
V
= 5V, I  
DS  
-1.0  
-5  
-2.0 -3.5  
p
Gate Source Breakdown Voltage  
Output Power at 1dB G.C.P.  
V
-
-
-
V
= -40µA  
GSO  
GS  
P
31.5 32.5  
dBm  
dB  
1dB  
V
= 10V,  
DS  
Power Gain at 1dB G.C.P.  
Power-added Efficiency  
G
5.0  
6.0  
27  
10  
-
I
= 0.6 I  
1dB  
DS  
DSS (Typ.),  
f = 14.5 GHz  
η
add  
-
-
-
%
R
Thermal Resistance  
Channel to Case  
12  
°C/W  
th  
CASE STYLE: MH  
G.C.P.: Gain Compression Point  
Edition 1.1  
August 1999  
1
1234

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