5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FLK027XP
FLK027XP PDF预览

FLK027XP

更新时间： 2024-01-21 04:49:29
品牌 Logo 应用领域
EUDYNA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 97K
描述
GaAs FET & HEMT Chips

阅读下载

获取价格

FLK027XP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：DIE
包装说明：UNCASED CHIP, R-XUUC-N4针数：4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.32
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 VFET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-XUUC-N4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FLK027XP 数据手册

 浏览型号FLK027XP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FLK027XP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FLK027XP的Datasheet PDF文件第4页 
FLK027XP, FLK027XV  
GaAs FET & HEMT Chips  
FEATURES  
• High Output Power: P  
= 24.0dBm(Typ.)  
1dB  
• High Gain: G  
• High PAE: η  
= 7.0dB(Typ.)  
1dB  
= 32%(Typ.)  
add  
Drain  
• Proven Reliability  
Source  
Source  
DESCRIPTION  
The FLK027XP, and FLK027XV chip is a power GaAs FET that is  
designed for general purpose applications in the Ku-Band frequency  
range as it provides superior power, gain, and efficiency.  
Gate  
Fujitsu’s stringent Quality Assurance Program assures the highest  
reliability and consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Rating  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DS  
V
GS  
15  
-5  
V
V
P
T
T = 25°C  
c
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
1.88  
W
°C  
°C  
tot  
-65 to +175  
stg  
T
Channel Temperature  
175  
ch  
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 10 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 2.2 and -0.1 mA respectively with  
gate resistance of 2000Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 145°C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Limit  
Typ.  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
150  
V
V
V
I
= 5V, V  
= 0V  
GS  
Saturated Drain Current  
Transconductance  
I
-
-
100  
mA  
DS  
DS  
DS  
DSS  
g
m
-
-3.5  
-
= 5V, I  
= 65mA  
= 5mA  
50  
mS  
V
DS  
Pinch-off Voltage  
V
= 5V, I  
-1.0 -2.0  
p
DS  
Gate Source Breakdown Voltage  
V
-
= -5µA  
-5  
V
GSO  
GS  
Output Power at 1dB  
Gain Compression Point  
P
-
-
23  
24  
dBm  
1dB  
V
= 10V  
DS  
Power Gain at 1dB  
Gain Compression Point  
I
≈ 0.6I  
DS  
DSS  
G
6
7
dB  
1dB  
f = 14.5GHz  
η
Power-added Efficiency  
Thermal Resistance  
add  
-
-
32  
40  
-
%
R
Channel to Case  
80  
°C/W  
th  
Note: RF parameter sample size 10pcs. criteria (accept/reject)=(2/3)  
The chip must be enclosed in a hermetically sealed environment for optimum performance and reliability.  
Edition 1.3  
July 1999  
1
1234

下载PDF

与FLK027XP相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FLK027XV EUDYNA GaAs FET & HEMT Chips

获取价格
FLK052WG FUJITSU RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,

获取价格
FLK052XV FUJITSU RF Small Signal Field-Effect Transistor, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electr

获取价格
FLK057WG EUDYNA X, Ku Band Power GaAs FET

获取价格
FLK057XV EUDYNA GaAs FET & HEMT Chips

获取价格
FLK102MH-14 FUJITSU RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,

获取价格

与FLK027XP相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证