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FHX45X

更新时间： 2024-01-30 03:17:49
品牌 Logo 应用领域
EUDYNA 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 62K
描述
GaAs FET & HEMT Chips

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FHX45X 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：DIE
包装说明：UNCASED CHIP, R-XUUC-NReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.36Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE, HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：3.5 VFET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-XUUC-N
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：10 dB认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FHX45X 数据手册

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FHX45X  
GaAs FET & HEMT Chips  
FEATURES  
• Low Noise Figure: 0.55dB (Typ.)@f=12GHz  
• High Associated Gain: 12.0dB (Typ.)@f=12GHz  
• Lg ≤ 0.15µm, Wg = 280µm  
Drain  
• Gold Gate Metallization for High Reliability  
Gate  
Gate  
DESCRIPTION  
The FHX45X is a Super High Electron Mobility Transistor  
(SuperHEMTTM) intended for general purpose, ultra-low noise and high  
gain amplifiers in the 2-18GHz frequency range. The device is well  
suited for telecommunication, DBS, TVRO, VSAT or other low noise  
applications.  
Source  
Fujitsu’s stringent Quality Assurance Program assures the highest  
reliability and consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Unit  
Rating  
Drain-Source Voltage  
V
V
3.5  
-3.0  
V
V
DS  
Gate-Source Voltage  
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
GS  
P
290  
-65 to +175  
175  
mW  
°C  
°C  
t*  
T
stg  
T
ch  
*Note: Mounted on Al O board (30 x 30 x 0.65mm)  
2
3
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 2 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 0.1 and -0.075 mA respectively with  
gate resistance of 4000Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 80°C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Limit  
Typ.  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Min.  
Max.  
85  
-
Saturated Drain Current  
Transconductance  
I
V
V
= 2V, V  
=0V  
GS  
10  
45  
40  
mA  
mS  
DSS  
gm  
DS  
= 2V, I  
=10mA  
65  
DS  
DS  
V
= 2V, I  
DS  
=1mA  
-0.1  
Pinch-off Voltage  
Vp  
-1.0  
-
-2.0  
-
V
DS  
Gate Source Breakdown Voltage  
Noise Figure  
V
IGS = -10µA  
= 2V, I  
-3.0  
-
V
dB  
GSO  
NF  
0.65  
-
0.55  
V
= 10mA,  
DS  
DS  
f = 12GHz  
Associated Gain  
10.0 12.0  
155  
G
dB  
as  
R
Thermal Resistance  
Channel to Case  
-
200  
°C/W  
th  
Note: RF parameter sample size 10pcs. criteria (accept/reject)=(2/3)  
The chip must be enclosed in a hermetically sealed environment for optimum performance and reliability.  
Edition 1.2  
July 1999  
1
1234

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