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FHX14LG

更新时间： 2024-02-07 08:26:02
品牌 Logo 应用领域
EUDYNA /
页数 文件大小 规格书
6页 89K
描述
Super Low Noise HEMT

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FHX14LG 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：UNCASED CHIP, R-XUUC-N
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.33
其他特性：LOW NOISE, HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：3.5 VFET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-XUUC-N
元件数量：1工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：UNCASED CHIP
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：0.18 W
最小功率增益 (Gp)：11 dB认证状态：Not Qualified
子类别：FET RF Small Signal表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FHX14LG 数据手册

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FHX13LG, FHX14LG  
Super Low Noise HEMT  
FEATURES  
• Low Noise Figure: 0.45dB (Typ.)@f=12GHz (FHX13)  
• High Associated Gain: 13.0dB (Typ.)@f=12GHz  
• Lg ≤ 0.15µm, Wg = 200µm  
• Gold Gate Metallization for High Reliability  
• Cost Effective Ceramic Microstrip (SMT) Package  
• Tape and Reel Packaging Available  
DESCRIPTION  
The FHX13LG, FHX14LG is a Super High Electron Mobility Transistor(SuperHEMTTM  
)
intended for general purpose, ultra-low noise and high gain amplifiers in the 2-18GHz  
frequency range. The devices are packaged in cost effective, low parasitic, hermetically  
sealed metal-ceramic package for high volume telecommunication, TVRO, VSAT or  
other low noise applications.  
Fujitsu’s stringent Quality Assurance Program assures the highest reliability and  
consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Unit  
Rating  
V
Drain-Source Voltage  
3.5  
V
DS  
V
Gate-Source Voltage  
-3.0  
180  
V
GS  
P
t*  
Total Power Dissipation  
mW  
T
Storage Temperature  
Channel Temperature  
-65 to +175  
175  
°C  
°C  
stg  
T
ch  
*Note: Mounted on Al O board (30 x 30 x 0.65mm)  
2
3
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 2 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 0.2 and -0.05 mA respectively with  
gate resistance of 4000Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 80°C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Limit  
Typ.  
30  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Min.  
10  
Max.  
60  
-
Saturated Drain Current  
Transconductance  
I
V
DS  
V
DS  
= 2V, V  
= 2V, I  
=0V  
GS  
mA  
mS  
V
DSS  
=10mA  
g
35  
50  
-0.7  
-
DS  
m
V
= 2V, I  
DS  
=1mA  
-0.1  
Pinch-off Voltage  
V
-1.5  
DS  
p
Gate Source Breakdown Voltage  
V
I
= -10µA  
-3.0  
-
-
V
GSO  
NF  
GS  
Noise Figure  
FHX13LG  
Associated Gain  
0.50  
0.45  
dB  
V
I
= 2V,  
DS  
11.0 13.0  
G
-
dB  
dB  
dB  
as  
NF  
= 10mA,  
DS  
-
Noise Figure  
FHX14LG  
0.55 0.60  
f = 12GHz  
Associated Gain  
11.0 13.0  
300  
G
-
as  
R
Thermal Resistance  
Channel to Case  
-
400  
°C/W  
th  
AVAILABLE CASE STYLES: LG  
Note: RF parameters for LG devices are measured on a sample basis as follows:  
Lot qty.  
Sample qty.  
125  
Accept/Reject  
(0,1)  
1200  
1201  
3201  
or  
to  
to  
less  
3200  
10000  
over  
200  
315  
500  
(0,1)  
(1,2)  
(1,2)  
10001 or  
Edition 1.1  
July 1999  
1
123456

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FHX14LP FUJITSU RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, High Elec

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