是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DIE |
包装说明: | UNCASED CHIP, R-XUUC-N | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.33 | 其他特性: | LOW NOISE, HIGH RELIABILITY |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 3.5 V |
FET 技术: | HIGH ELECTRON MOBILITY | 最高频带: | KU BAND |
JESD-30 代码: | R-XUUC-N | 元件数量: | 1 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | UNCASED CHIP |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最小功率增益 (Gp): | 9.5 dB | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | GALLIUM ARSENIDE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
FHX06LG | FUJITSU | Super Low Noise HEMT |
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FHX06LP | FUJITSU | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, High Elec |
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FHX06X | EUDYNA | GaAs FET & HEMT Chips |
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FHX13LG | EUDYNA | Super Low Noise HEMT |
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FHX13LG | FUJITSU | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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FHX13X | EUDYNA | GaAs FET & HEMT Chips |
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