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FHX04X PDF预览

FHX04X

更新时间： 2024-01-16 10:51:53
品牌 Logo 应用领域
EUDYNA 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 56K
描述
GaAs FET & HEMT Chips

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FHX04X 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：UNCASED CHIP, R-XUUC-N
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.33
其他特性：LOW NOISE, HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：3.5 VFET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-XUUC-N
元件数量：1工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：UNCASED CHIP
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：0.18 W
最小功率增益 (Gp)：9.5 dB认证状态：Not Qualified
子类别：FET RF Small Signal表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FHX04X 数据手册

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FHX04X, FHX05X, FHX06X  
GaAs FET & HEMT Chips  
FEATURES  
• Low Noise Figure: 0.75dB (Typ.)@f=12GHz (FHX04)  
• High Associated Gain: 10.5dB (Typ.)@f=12GHz  
• Lg ≤ 0.25µm, Wg = 200µm  
• Gold Gate Metallization for High Reliability  
DESCRIPTION  
The FHX04X, FHX05X, FHX06X are High Electron Mobility  
Transistors (HEMT) intended for general purpose, low noise and high  
gain amplifiers in the 2-18GHz frequency range. The devices are well  
suited for telecommunication, DBS, TVRO, VSAT or other low noise  
applications.  
Eudyna’s stringent Quality Assurance Program assures the highest  
reliability and consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Unit  
Rating  
V
Drain-Source Voltage  
3.5  
-3.0  
V
V
DS  
Gate-Source Voltage  
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
V
GS  
P
180  
mW  
°C  
°C  
t*  
T
-65 to +175  
175  
stg  
T
ch  
*Note: Mounted on Al O board (30 x 30 x 0.65mm)  
2
3
Eudyna recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 2 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 0.2 and -0.05 mA respectively with  
gate resistance of 4000Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 80°C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Limit  
Typ.  
30  
45  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
= 2V, V = 0V  
Unit  
Min.  
15  
35  
Max.  
60  
-
-1.5  
-
I
V
V
V
Saturated Drain Current  
Transconductance  
mA  
mS  
V
DSS  
DS  
DS  
DS  
GS  
GS  
g
= 2V, I  
= 2V, I  
= 10mA  
m
DS  
Pinch-off Voltage  
Gate Source Breakdown Voltage  
Noise Figure  
V
= 1mA  
-0.2 -0.7  
p
DS  
V
I
= -10µA  
-3.0  
-
9.5  
-
9.5  
-
-
V
GSO  
NF  
0.75 0.85  
10.5  
0.9  
10.5  
1.1  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
FHX04X  
Associated Gain  
G
as  
NF  
-
1.1  
-
V
= 2V  
= 10mA  
DS  
Noise Figure  
FHX05X  
I
DS  
Associated Gain  
G
as  
f = 12GHz  
Noise Figure  
FHX06X  
NF  
1.35  
-
Associated Gain  
G
9.5  
10.5  
as  
Same as above,  
Gain matched  
G (max)  
a
Maximum Available Gain  
Thermal Resistance  
11.0 12.0  
220  
-
dB  
R
Channel to Case  
-
300  
°C/W  
th  
Note: RF parameter sample size 10pcs. criteria (accept/reject)=(2/3)  
The chip must be enclosed in a hermetically sealed environment for optimum performance and reliability.  
Edition 1.3  
October 2004  
1
1234

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