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EU1ZV

更新时间： 2024-11-12 17:35:31

品牌	Logo	应用领域
三垦 - SANKEN		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	250K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon

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EU1ZV 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.62
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.4 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

EU1ZV 数据手册

SANKEN ELECTRIC CO., LTD.

EU1Z

1. Scope

The present specifications shall apply to an EU1Z.

2. Outline

Type

Silicon Diode

Resin Molded

Structure

Flammability:UL94-V0(Equivalent)

Applications

High Frequency Rectification, etc.

3. Absolute maximum ratings

Item

Symbol

V_RSM

V_RM

I_F(AV)

I_FSM

T_j

Unit

Rating

250

Conditions

No.

Transient Peak Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

200

Average Forward Current

Peak Surge Forward Current

Junction Temperature

0.5

Refer to 6

10msec.

Half sinewave, one shot

°C

-40～+150

Storage Temperature

T_stg

4. Electrical characteristics (Ta=25°C, unless otherwise specified)

No.

Conditions

Item

Symbol Unit

Value

V_F

I_R

1.0 max.

10 max.

I_F=0.5A

Forward Voltage Drop

µA

V_R=V_RM

Reverse Leakage Current

Under High Temperature

µA

150 max.

V_R=V_RM, Ta=100°C

H･I_R

I_F=I_RP=10mA,

Ta=25°C 90％ Recovery point

I_F=10mA, I_RP=20mA,

Ta=25°C 75% Recovery point

Trr-1

Trr-2

µs

0.4 max.

Reverse Recovery Time

Thermal Resistance

0.18 max.

Between Junction and Lead

Rth(j-l) °C /W

17 max.

031202

1／3

61426-01

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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EU1ZV1	SANKEN	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon
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