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FZ800R12KF1

更新时间: 2024-01-15 02:16:17
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2页 97K
描述
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 800A I(C)

FZ800R12KF1 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.58Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):800 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X7元件数量:1
端子数量:7最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):6250 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:3 V
Base Number Matches:1

FZ800R12KF1 数据手册

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