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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 450 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| 最大降落时间（tf）： | 3000 ns | JESD-30 代码： | R-PUFM-X2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 770 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 960 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 4000 ns |
| 子类别： | BIP General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 13000 ns | 最大开启时间（吨）： | 4000 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| ET188 | FUJI |
功能相似  |
Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| QM100HC-M | MITSUBISHI |
功能相似 |
HIGH POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ET127-450V | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 600V V(BR)CEO | 100A I(C) |
|
| ET1275 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CEO | 15A I(C) |
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| ET127-520V | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 600V V(BR)CEO | 100A I(C) |
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| ET13023000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| ET13023200J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| ET13024000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| ET13024200J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| ET13025200J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block, |
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| ET13028000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| ET13028200J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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