生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-XALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 36 V |
JESD-30 代码: | O-XALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流: | 0.5 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 100 °C | 最大输出电流: | 0.005 A |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 10000 V | 最大反向恢复时间: | 0.08 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ESJA52-10AT | ETC |
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HIGH VOLTAGE GP DIODE | |
ESJA52-12 | FUJI |
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High Voltage Silicon Diode | |
ESJA52-12_17 | HVGT |
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5.0mA 12kV 80nS--HIGH VOLTAGE RECTIFIER DIODES | |
ESJA52-12A | FUJI |
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High Voltage Silicon Diode | |
ESJA52-12A | HVGT |
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12kV 5mA HIGH VOLTAGE DIODES | |
ESJA52-12A | SUNMATE |
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High voltage diode High voltage diode 10kv-12kv | |
ESJA52-12AT | ETC |
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HIGH VOLTAGE GP DIODE | |
ESJA52-14 | FUJI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 14000V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2 | |
ESJA52-14A | HVGT |
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14kV 5mA HIGH VOLTAGE DIODES | |
ESJA52-14A | HVGT |
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14kV 5mA HIGH VOLTAGE DIODES |