生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-XALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 7 V | JESD-30 代码: | O-XALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流: | 1 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 0.01 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 2200 V |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
ESJA28-03 | ETC | HIGH VOLTAGE AUTOMOTIVE DIODE |
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ESJA37-24 | FUJI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 24000V V(RRM), |
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ESJA52-10 | FUJI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 10000V V(RRM), Silicon |
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ESJA52-10_17 | HVGT | 5.0mA 10kV 80nS-- HIGH VOLTAGE RECTIFIER DIODES |
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ESJA52-10A | FUJI | High Voltage Silicon Diode |
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ESJA52-10A | HVGT | 10kV 5mA HIGH VOLTAGE DIODES |
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