ESJA09-12

更新时间： 2024-01-02 17:11:20

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富士电机 - FUJI		整流二极管高压
页数	文件大小	规格书
2页	25K
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HIGH VOLTAGE DIODE

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ESJA09-12 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-XALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	120 °C	最大输出电流：	0.005 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	12000 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

ESJA09-12 数据手册

ESJA09-12

(12kV/5mA)

Outline Drawings : mm

HIGH VOLTAGE DIODE

ESJA09 is high reliability resin molded type high voltage

diode in small size package which is sealed a multilayed

mesa type silicon chip by epoxy resin.

Cathode Mark

Lot No.

o 2.5

o 0.5

27 min.

Features

High speed switching

Low VF

High surge resisitivity for CRT discharge

High reliability design

Ultra small pakage

Cathode Mark

Type

Mark

Applications

Rectification for CRT display monitor high voltage

ESJA09-12

power supply (FBT:Flyback Transformer)

Maximum Ratings and Characteristics

White

Absolute Maximum Ratings

Symbols

V^RRM

ESJA09-12

Items

Condition

Units

Repetitive Peak Renerse Voltage

Average Output Current

Suege Current

A^peak

°C

Ta=25°C,Resistive Load

10mS Sine-half wave

peak value

IFSM

0.5

120

Junction Temperature

100

Allowable Operation Case Temperature

Storage Temperature

°C

Tstg

-40 to +120

°C

Electrical Characteristics (Ta=25°C Unless otherwise specified )

ESJA09-12

Items

Symbols

Conditions

Units

Maximum Forward Voltage Drop

Maximum Reverse Current

V^F

IR1

IR2

trr

at 25°C,IF=10mA

at 25°C,VR=12kV

at 100°C,VR=12kV

at 25°C,IF=2mA,IR=4mA

µA

µs

Maximum Reverse Recovery Time

Junction Capacitance

0.05

at 25°C,VR=0V,f=1MHz

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