ESJA08

更新时间： 2024-02-12 20:09:29

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富士电机 - FUJI		整流二极管高压
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2页	26K
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HIGH VOLTAGE DIODE

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ESJA08 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	28 V
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	0.5 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	120 °C	最大输出电流：	0.005 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	8000 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

ESJA08 数据手册

ESJA08

(8kV/5mA)

Outline Drawings

HIGH VOLTAGE DIODE

ESJA08 is high reliability resin molded type high voltage

diode in small size package which is sealed (a multilayed

mesa type silicon chip) by epoxy resin.

Cathode Mark

o 2.5

Lot No.

o 0.5

27 min.

6.5

27 min.

Features

Ultra high speed switching

Low VF

High surge resisitivity for CRT discharge

High reliability design

Ultra small pakage

Cathode Mark

Type

Mark

Applications

Rectification for CRT display monitor high voltage

ESJA08-08

power supply (FBT:Flyback Transformer)

Maximum Ratings and Characteristics

Absolute Maximum Ratings

Symbols

V^RRM

Items

ESJA08

Condition

Units

Repetitive Peak Reverse Voltage

Average Output Current

Surge Current

IFSM

0.5

120

Ta=25°C,Resistive Load

10mS Sine-half wave

peak value

Junction Temperature

°C

Allowable Operation Case Temperature

Storage Temperature

100

-40 to +120

Tstg

Electrical Characteristics (Ta=25°C Unless otherwise specified )

ESJA08

Items

Symbols

Conditions

IF=10mA

Units

Maximum Forward Voltage Drop

Maximum Reverse Current

V^F

VR=VRRM

µA

µs

Maximum Reverse Recovery Time

Junction Capacitance

trr

Ta=25°C,IF=2mA,IR=4mA

Ta=25°C,VR=0V,f=1MHz

0.05

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