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ESJA08-08

更新时间： 2024-02-16 19:37:52

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HVGT		二极管高压
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1页	66K
描述
8.0kV 5mA HIGH VOLTAGE DIODES

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ESJA08-08 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-XALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.84
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	28 V	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	0.5 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	120 °C
最大输出电流：	0.005 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	8000 V
最大反向恢复时间：	0.045 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

ESJA08-08 数据手册

HVGT

ESJA08-08

8.0kV 5mA HIGH VOLTAGE DIODES

Outline Drawings : mm

ESJA08-08

is high reliability resin molded type high voltage

diode in small size package which is sealed a multilayed

mesa type silicon chip by epoxy resin.

Cathode Mark

o 2.5

Lot No.

o 0.5

Features

High speed switching

High Current

27 min.

6.5

27 min.

High surge resisitivity for CRT discharge

High reliability design

High Voltage

DO-206

Cathode Mark

Applications

X light Power supply

Laser

Type

Mark

Voltage doubler circuit

Microwave emission power

ESJA08-08

Maximum Ratings and Characteristics

Absolute Maximum Ratings

Symbols

V_RRM

I_O

Items

Condition

ESJA08-08

8.0

Units

Repetitive Peak Renerse Voltage

Average Output Current

Suege Current

5.0

Ta=25°C,Resistive Load

I_FSM

0.5

peak

125

Junction Temperature

°C

125

Allowable Operation Case Temperature

Storage Temperature

T^stg

-40 to +125

Electrical Characteristics (Ta=25°C Unless otherwise specified )

Items

Symbols

V^F

Conditions

Units

ESJA08-08

Maximum Forward Voltage Drop

Maximum Reverse Current

at 25°C,I_{F =IF(AV)}

at 25°C,V^R=VRRM

IR1

2.0

5.0

IR2

at 100°C,V

RRM

Maximum Reverse Recovery Time

Junction Capacitance

Trr

at 25°C

at 25°C,VR=0V,f=1MHz

2.0

GETE ELECTRONICS CO.,LTD

Http://www.getedz.com E-mail:sales@getedz.com

2015

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