生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-XALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.84 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 28 V | JESD-30 代码: | O-XALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流: | 0.5 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 120 °C |
最大输出电流: | 0.005 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 8000 V |
最大反向恢复时间: | 0.045 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ESJA08-08A | FUJI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 8000V V(RRM), Silicon | |
ESJA08-10 | HVGT |
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10kV 5mA HIGH VOLTAGE DIODES | |
ESJA08-10 | HVGT |
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10kV 5mA HIGH VOLTAGE DIODES | |
ESJA08-10 | SUNMATE |
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High voltage diode High voltage diode 10kv-12kv | |
ESJA08-10A | CTS |
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5.0mA 10kV 50nS Ultra-Fast Recovery High Voltage Silicon Rectifier Diode | |
ESJA08-12 | HVGT |
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12kV 5mA HIGH VOLTAGE DIODES | |
ESJA08-12 | HVGT |
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12kV 5mA HIGH VOLTAGE DIODES | |
ESJA08-12 | SUNMATE |
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High voltage diode High voltage diode 10kv-12kv | |
ESJA09 | FUJI |
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HIGH VOLTAGE DIODE | |
ESJA09-10 | FUJI |
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HIGH VOLTAGE DIODE |