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ESDLC0524AMP-AH

更新时间： 2023-12-06 20:11:15

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先科 - SWST		二极管
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3页	220K
描述
静电保护二极管

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ESDLC0524AMP-AH 数据手册

ESDLC0524AMP-AH

ESD Protection Diode

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Low clamping voltage

• Low capacitance

Pin 1

Pin 2

Pin 4

Pin 5

• Protects two or four I/O Lines

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Pin 3, 8

1. I/O 2. I/O 3. GND 4. I/O 5. I/O

6. NC 7. NC 8. GND 9. NC 10.NC

DFN2510-10 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

150

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

P_PK

I_PP

ESD per IEC 61000-4-2 (Air)

ESD per IEC 61000-4-2 (Contact)

±17

±12

V_ESD

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_J

- 55 to + 125

- 55 to + 150

℃

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Working Voltage, Any I/O Pin to Gnd

Reverse Breakdown Voltage

at I_T= 1 mA, Any I/O Pin to Gnd

V_(BR)R

Reverse Current

at V_RWM= 5 V, Any I/O Pin to Gnd

I_R

μA

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A, tp = 8/20 µs, Any I/O Pin to Gnd

at I_PP= 5 A, tp = 8/20 µs, Any I/O Pin to Gnd

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns, I/O to GND

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns, I/O to GND

V_CL

9.8

15.2

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz, Any I/O Pin to Gnd

at V_R= 0 V, f = 1 MHz, Between I/O Pins

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

0.8

0.45

R_dyn

0.45

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4 A to I_TLP= 16 A.

1 / 3

Dated：09/02/2023 Rev: 02

12 3

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