Datasheet > ESDL2011PFCT5G

ESDL2011PFCT5G

更新时间： 2024-11-02 11:15:35

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		局域网测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	254K
描述
高速数据线保护，双向(1 V — Thunderbolt 3.0) ，0.2 pF

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ESDL2011PFCT5G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-N2	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	4 weeks	风险等级：	1.56
Is Samacsys：	N	其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW CAPACITANCE
最大击穿电压：	2.3 V	最小击穿电压：	1.4 V
击穿电压标称值：	1.65 V	最大钳位电压：	6 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-N2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.313 W	参考标准：	IEC-61000-4-2, 4-5
最大重复峰值反向电压：	1 V	最大反向电流：	0.5 µA
反向测试电压：	1 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

ESDL2011PFCT5G 数据手册

ESDL2011

ESD Protection Diode

Micro−Packaged Diodes for ESD Protection

The ESDL2011 is designed to protect voltage sensitive components

that require low capacitance from ESD and transient voltage events.

Excellent clamping capability, low capacitance, low leakage, and fast

response time, make these parts ideal for ESD protection on designs

where board space is at a premium. Because of its low capacitance, the

part is well suited for use in high speed data line applications.

www.onsemi.com

Features

• Low Capacitance 0.17 pF (Typ)

• Low Clamping Voltage

MARKING

DIAGRAM

• Small Body Outline Dimensions: 0.60 mm x 0.30 mm

• Low Body Height: 0.2 mm

• Stand−off Voltage: 1.0 V

DSN2

(Side wall isolated)

CASE 152AX

• IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

= Specific Device Code

Compliant

Typical Applications

• USB 3.x

ORDERING INFORMATION

• Thunderbolt 3.0

†

Device

ESDL2011PFCT5G

Package

Shipping

DSN2

(Pb−Free)

10000 / Tape &

Reel

MAXIMUM RATINGS

Rating

IEC 61000−4−2 (ESD)

Symbol

Value

Unit

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Contact

Air

Total Power Dissipation on FR−4 Board

°P °

313

(Note 1) @ T = 25°C

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient

400

−55 to +150

260

°C/W

°C

Junction and Storage Temperature Range

T , T

J stg

Lead Solder Temperature − Maximum

(10 Second Duration)

°C

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

1. FR−4 = 28 mm 1 oz. Cu JEDEC JESD51−3 two layer PCB.

See Application Note AND8308/D for further description of survivability specs.

Publication Order Number:

May, 2019 − Rev. 2

ESDL2011/D

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与ESDL2011PFCT5G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ESDL2012MX4T5G	ONSEMI	获取价格	Extremely Low Voltage, Bidirectional ESD Protection Device in 0201 form factor featuring u
ESDL20-1BF4	STMICROELECTRONICS	获取价格	低钳位、低电容双向单线ESD保护
ESDL2031MX4T5G	ONSEMI	获取价格	超低电容 ESD 保护二极管，用于高速数据线
ESDL24CA	SWST	获取价格	静电保护二极管
ESDL24VAE1	CJ	获取价格	DFNWB0.6×0.3-2L
ESDL3552BPFCT5G	ONSEMI	获取价格	超低电容 ESD 保护二极管
ESDL3V3AE2	MCC	获取价格	Tape&Reel: 10Kpcs/Reel;
ESDL3V3CA	SWST	获取价格	静电保护二极管
ESDL3V3LB	MCC	获取价格	Tape&Reel: 10Kpcs/Reel;
ESDL3V3LBHE3	MCC	获取价格	Tape&Reel: 10Kpcs/Reel;

与ESDL2011PFCT5G相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

22
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

23
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

46
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ESDL2011PFCT5G

ESDL2011PFCT5G 技术参数

ESDL2011PFCT5G 数据手册

与ESDL2011PFCT5G相关器件

与ESDL2011PFCT5G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ESDL2011PFCT5G

ESDL2011PFCT5G 技术参数

ESDL2011PFCT5G 数据手册

与ESDL2011PFCT5G相关器件

与ESDL2011PFCT5G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？