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ESDBL6V8BP

更新时间： 2024-11-22 14:50:35

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先科 - SWST		二极管
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2页	139K
描述
静电保护二极管

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ESDBL6V8BP 数据手册

ESDBL6V8BP

Silicon Epitaxial Planar Diode

ESD protection diode

PINNING

DESCRIPTION

Anode

Features

Anode

• Ultra small mold type

• Bi-direction high reliability

Transparent top view

Marking Code: 6

Simplified outline DFN1006-2B and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Peak Pulse Power (tp = 10 X 1000 µs)

Power Dissipation

P_PK

P_D

100

℃

Junction Temperature

T_J

150

Storage Temperature Range

Operation Temperature Range

T_stg

T_opr

- 55 to + 150

℃

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

Min.

5.78

Typ.

Max.

7.82

Unit

Zener Voltage

at I_Z= 1 mA

V_Z

I_R

Reverse Current

at V_R= 3.5 V

0.5

μA

Capacitance between Terminals

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

C_T

Dated: 07/07/2014 Rev: 01

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