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ESDBL5V0CBBF

更新时间： 2024-11-19 14:54:51

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先科 - SWST		二极管
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3页	206K
描述
静电保护二极管

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ESDBL5V0CBBF 数据手册

ESDBL5V0CBBF

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Anode

Features

Anode

• Low capacitance

• Low clamping voltage

• Low leakage current

Transparent top view

Simplified outline DFN1006-2BF and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

IEC61000-4-2 (ESD)

I_PP

Air

Contact

± 15

± 10

V_ESD

Total Power Dissipation¹⁾

P_D

T_j

150

℃

Operation Temperature Range

Storage Temperature Range

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

- 55 to + 125

- 55 to + 150

T_stg

℃

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Working Peak Reverse Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_PT= 1 mA

V_BR

I_R

Reverse Current

at V_RWM= 5 V

μA

Clamping Voltage

V_C

12.9

at I_PP= 1 A, tp = 8/20 µs

at I_PP= 3 A, tp = 8/20 µs

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

30.2

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

0.9

R_dyn

1.2

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated: 07/09/2021 6M Rev: 01

12 3

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