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ESDBL3311BP

更新时间： 2024-11-19 14:53:11

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先科 - SWST		二极管
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3页	187K
描述
静电保护二极管

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ESDBL3311BP 数据手册

ESDBL3311BP

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Anode

Features

Anode

• Protects one data line

• Low leakage current

• Bi-direction high reliability

• Low junction capacitance

Transparent top view

Simplified outline DFN1006-2B and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

I_PP

Air

Contact

± 30

ESD (IEC61000-4-2)

V_ESD

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 40 to + 125

- 55 to + 150

℃

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

3.3

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Punch-Through Voltage

at I_PT= 2 µA

V_PT

V_SB

I_R

3.5

2.8

4.3

Snap-Back Voltage

at I_SB= 50 mA

Reverse Current

at V_RWM= 3.3 V

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A, tp = 8/20 µs

at I_PP= 5 A, tp = 8/20 µs

V_C

6.5

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

5.8

9.7

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

R_dyn

0.33

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated: 16/08/2023 Rev: 05

12 3

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