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ESDB1211Z

更新时间： 2024-11-22 14:54:23

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先科 - SWST		二极管
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3页	224K
描述
静电保护二极管

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ESDB1211Z 数据手册

ESDB1211Z

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Anode

Features

Anode

• Low reverse current

• Bi-direction high reliability

Transparent top view

Simplified outline DFN0603 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

125

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

ESD discharge (IEC61000-4-2)

I_PP

Air

Contact

± 30

V_ESD

Operation Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 125

- 55 to + 150

℃

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Standoff Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

13.3

Reverse Current

at V_R= 12 V

I_R

200

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A, tp = 8/20 μs

at I_PP= 5 A, tp = 8/20 μs

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP= 16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

17.3

22.6

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

R_dyn

0.44

Ω

Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A.

1 / 3

Dated: 13/01/2023 Rev: 03

12 3

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