5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-3PF |
| 包装说明： | R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 100 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.04 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ESAD92M-03 | FUJI |
获取价格 |
LOW LOSS SUPER HIGH SPEED RECTIFIER |
|
| ESAD92M-03R | FUJI |
获取价格 |
LOW LOSS SUPER HIGH SPEED RECTIFIER |
|
| ESAD92M-03RR | FUJI |
获取价格 |
SILICON DIODE |
|
| ESAD95-04 | ETC |
获取价格 |
FAST RECOVERY DIODE |
|
| ESAE83-004 | FUJI |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODE |
|
| ESAE83-006 | FUJI |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODE |
|
| ESAL01-01C | FUJI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 150A, 100V V(RRM), Silicon, MODULE-2 |
|
| ESAL01-01N | FUJI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 150A, 100V V(RRM), Silicon, MODULE-2 |
|
| ESAL01-02C | FUJI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 150A, 200V V(RRM), Silicon, MODULE-2 |
|
| ESAL01-02D | FUJI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 150A, 200V V(RRM), Silicon, MODULE-2 |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
