ESAD85M-009RR

更新时间： 2024-11-21 10:15:39

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富士电机 - FUJI		肖特基二极管
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6页	469K
描述
Schottky Barrier Diode

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ESAD85M-009RR 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.81
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e2	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	25 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	90 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

ESAD85M-009RR 数据手册

http://www.fujisemi.com

FUJI Diode

ESAD85M-009RR

Schottky Barrier Diode

Maximum Rating and Characteristics

Maximum ratings (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

tw=500ns, duty=1/40

Ratings

100

Units

Repetitive peak surge reverse voltage

Repetitive peak reverse voltage

Isolating voltage

VRSM

VRRM

Viso

Terminals-to-Case, AC.1min

1500

50Hz Square wave duty =1/2

Tc = 105˚C

Average output current

25 *

Non-repetitive forward surge current**

Operating junction temperature

Storage temperature

FSM

Sine wave, 10ms 1shot

100

150

˚C

Tstg

-40 to +150

Note* Out put current of center tap full wave connection.

Note** Rating per element

Electrical characteristics (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

Maximum

Units

Forward voltage***

Reverse current***

Thermal resistance

Note*** Rating per element

= 10 A

0.9

=VRRM

Rth(j-c)

Junction to case

1.7

˚C/W

Mechanical characteristics

Item

Conditions

Maximum

0.4 to 0.6

Units

N•m

Mounting torque

Approximate mass

Recommended torque

12 3 4 5 6

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