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ESAD85M-009

更新时间: 2024-01-07 13:56:48
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富士电机 - FUJI 整流二极管肖特基二极管局域网
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4页 80K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

ESAD85M-009 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3PF
包装说明:R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.81
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e2最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:25 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:90 V
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子面层:TIN COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

ESAD85M-009 数据手册

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