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ESAD83M-006

更新时间: 2024-11-20 22:14:27
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富士电机 - FUJI 整流二极管肖特基二极管局域网
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4页 79K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

ESAD83M-006 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.58 VJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:200 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:15 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:60 V
最大反向电流:20000 µA子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

ESAD83M-006 数据手册

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