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ESAD83M-004

更新时间: 2024-11-20 22:14:27
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富士电机 - FUJI 肖特基二极管
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4页 76K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

ESAD83M-004 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.73其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.55 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流:250 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:15 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:40 V最大反向电流:20000 µA
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

ESAD83M-004 数据手册

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