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ESAC93-02R

更新时间: 2024-01-07 14:03:11
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
12页 840K
描述
SILICON DIODE

ESAC93-02R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3P
包装说明:R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e2
最大非重复峰值正向电流:60 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:12 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.035 µs
表面贴装:NO端子面层:TIN COPPER
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

ESAC93-02R 数据手册

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S P E C I F I C AT I O N  
Device Name SILICON DIODE  
Type Name  
Spec. No.  
ESAC93-02R  
MS5D3023  
D A T E  
N A M E  
APPROVED  
Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.  
DRAWN  
FEB.-26-07  
CHECKED  
CHECKED  
FEB.-26-07  
FEB.-26-07  
MS5D3023 1/12  
H04-004-07b  

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