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ESAC83M-006RR

更新时间: 2024-11-26 02:59:43
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富士电机 - FUJI 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
12页 483K
描述
SILICON DIODE

ESAC83M-006RR 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3PF
包装说明:R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.83Is Samacsys:N
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:120 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:60 V
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

ESAC83M-006RR 数据手册

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S P E C I F I C AT I O N  
Device Name SILICON DIODE  
Type Name  
Spec. No.  
ESAC83M-006RR  
MS5D2997  
D A T E  
N A M E  
APPROVED  
Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.  
DRAWN  
JAN.-25-07  
JAN.-25-07  
JAN.-25-07  
CHECKED  
CHECKED  
MS5D2997 1/12  
H04-004-07b  

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